| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | MSC015SMA070B4 |
| Código da Peça EBEE | E83281099 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $77.8458 | $ 77.8458 |
| 30+ | $74.7664 | $ 2242.9920 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Microchip Tech MSC015SMA070B4 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 19mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 29pF | |
| Pd - Power Dissipation | 455W | |
| Drain to Source Voltage | 700V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 140A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 510pF | |
| Gate Charge(Qg) | 215nC |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $77.8458 | $ 77.8458 |
| 30+ | $74.7664 | $ 2242.9920 |
