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MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG2C170R045K3
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | MDDG2C170R045K3 |
| Código da Peça EBEE | E822370507 |
| Pacote | TO-247-3L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descrição | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $81.6860 | $ 81.6860 |
| 200+ | $32.5939 | $ 6518.7800 |
| 450+ | $31.5051 | $ 14177.2950 |
| 900+ | $30.9659 | $ 27869.3100 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG2C170R045K3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | - | |
| Dissipação de energia | - | |
| Carga total do portão | - | |
| Corrente de drenagem contínua | 72A | |
| Capacitância de Transferência Reversa | - | |
| Entência de entrada | - | |
| Configuração | - | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Resistência ao drena-source no Estado (15V) | - | |
| Resistência de drenagem no Estado (18V) | - | |
| Resistência de drenagem-solço no Estado (20V) | - | |
| Tipo encapsulado | - | |
| Resistência no Estado(10V) da Drenagem-Source | - | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1700V | |
| Tensão de limiar de fonte de drenagem | - |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $81.6860 | $ 81.6860 |
| 200+ | $32.5939 | $ 6518.7800 |
| 450+ | $31.5051 | $ 14177.2950 |
| 900+ | $30.9659 | $ 27869.3100 |
