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MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG2C120R016K3
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | MDDG2C120R016K3 |
| Código da Peça EBEE | E822370506 |
| Pacote | TO-247-3L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descrição | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $111.6382 | $ 111.6382 |
| 200+ | $44.5454 | $ 8909.0800 |
| 450+ | $43.0572 | $ 19375.7400 |
| 900+ | $42.3208 | $ 38088.7200 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG2C120R016K3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | - | |
| Dissipação de energia | - | |
| Carga total do portão | - | |
| Corrente de drenagem contínua | 115A | |
| Capacitância de Transferência Reversa | - | |
| Entência de entrada | - | |
| Configuração | - | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Resistência ao drena-source no Estado (15V) | - | |
| Resistência de drenagem no Estado (18V) | - | |
| Resistência de drenagem-solço no Estado (20V) | - | |
| Tipo encapsulado | - | |
| Resistência no Estado(10V) da Drenagem-Source | - | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1200V | |
| Tensão de limiar de fonte de drenagem | - |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $111.6382 | $ 111.6382 |
| 200+ | $44.5454 | $ 8909.0800 |
| 450+ | $43.0572 | $ 19375.7400 |
| 900+ | $42.3208 | $ 38088.7200 |
