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MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG1C120R080K3


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
MDDG1C120R080K3
Código da Peça EBEE
E822370504
Pacote
TO-247-3L
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
ECCN
None
Descrição
TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
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Nome do Contato
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Nome da Empresa
País
Qualidade
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
1+$17.1546$ 17.1546
200+$6.8447$ 1368.9400
450+$6.6162$ 2977.2900
900+$6.5045$ 5854.0500
TipoDescrição
Selecionar Tudo
CategoriaDispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET)
Folha de DadosMDD(Microdiode Semiconductor) MDDG1C120R080K3
RoHS
Temperatura de funcionamento-
Dissipação de energia-
Carga total do portão-
Corrente de drenagem contínua36A
Capacitância de Transferência Reversa-
Entência de entrada-
Configuração-
Tipo de canal1 N-Channel
Resistência ao drena-source no Estado (15V)-
Resistência de drenagem no Estado (18V)-
Resistência de drenagem-solço no Estado (20V)-
Tipo encapsulado-
Resistência no Estado(10V) da Drenagem-Source-
Tensão da fonte de drenagem1200V
Tensão de limiar de fonte de drenagem-

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