| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | LSIC1MO170E0750 |
| Código da Peça EBEE | E83290778 |
| Pacote | TO-247AD |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247AD Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6750 | $ 7.6750 |
| 10+ | $7.5062 | $ 75.0620 |
| 30+ | $7.3942 | $ 221.8260 |
| 100+ | $7.2822 | $ 728.2200 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Littelfuse LSIC1MO170E0750 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 1Ω | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1.7pF | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 200pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 11.5pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6750 | $ 7.6750 |
| 10+ | $7.5062 | $ 75.0620 |
| 30+ | $7.3942 | $ 221.8260 |
| 100+ | $7.2822 | $ 728.2200 |
