| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | LSIC1MO120G0025 |
| Código da Peça EBEE | E83290757 |
| Pacote | TO-247-4L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $45.4181 | $ 45.4181 |
| 200+ | $17.5757 | $ 3515.1400 |
| 500+ | $16.9581 | $ 8479.0500 |
| 1000+ | $16.6529 | $ 16652.9000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Littelfuse LSIC1MO120G0025 | |
| RoHS | ||
| Power Dissipation | 500W | |
| Continuous Drain Current | 100A | |
| Channel Type | 1 N-Channel | |
| Drain Source Voltage | 1200V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $45.4181 | $ 45.4181 |
| 200+ | $17.5757 | $ 3515.1400 |
| 500+ | $16.9581 | $ 8479.0500 |
| 1000+ | $16.6529 | $ 16652.9000 |
