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LGE LGE3M80120Q
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | LGE3M80120Q |
| Código da Peça EBEE | E828148575 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $17.7271 | $ 17.7271 |
| 200+ | $7.0749 | $ 1414.9800 |
| 500+ | $6.8378 | $ 3418.9000 |
| 1000+ | $6.7201 | $ 6720.1000 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| RoHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
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| 200+ | $7.0749 | $ 1414.9800 |
| 500+ | $6.8378 | $ 3418.9000 |
| 1000+ | $6.7201 | $ 6720.1000 |
