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LGE LGE3M40120Q
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | LGE3M40120Q |
| Código da Peça EBEE | E825402767 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $27.6986 | $ 27.6986 |
| 200+ | $11.0523 | $ 2210.4600 |
| 500+ | $10.6830 | $ 5341.5000 |
| 1000+ | $10.5002 | $ 10500.2000 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| RoHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
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| 200+ | $11.0523 | $ 2210.4600 |
| 500+ | $10.6830 | $ 5341.5000 |
| 1000+ | $10.5002 | $ 10500.2000 |
