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LGE LGE3M18120Q
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | LGE3M18120Q |
| Código da Peça EBEE | E828451336 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $60.9369 | $ 60.9369 |
| 200+ | $24.3150 | $ 4863.0000 |
| 500+ | $23.5022 | $ 11751.1000 |
| 1000+ | $23.1003 | $ 23100.3000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| RoHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
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| 200+ | $24.3150 | $ 4863.0000 |
| 500+ | $23.5022 | $ 11751.1000 |
| 1000+ | $23.1003 | $ 23100.3000 |
