| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | LGE3M14120Q |
| Código da Peça EBEE | E828148572 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $99.7148 | $ 99.7148 |
| 200+ | $39.7882 | $ 7957.6400 |
| 500+ | $38.4576 | $ 19228.8000 |
| 1000+ | $37.8004 | $ 37800.4000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| RoHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $99.7148 | $ 99.7148 |
| 200+ | $39.7882 | $ 7957.6400 |
| 500+ | $38.4576 | $ 19228.8000 |
| 1000+ | $37.8004 | $ 37800.4000 |
