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KNSCHA KN3M50120K
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | KN3M50120K |
| Código da Peça EBEE | E85373189 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.3255 | $ 10.3255 |
| 10+ | $8.9330 | $ 89.3300 |
| 30+ | $8.0851 | $ 242.5530 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | KNSCHA KN3M50120K | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 50mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 5.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 344W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 58A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.75nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 106pF | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC |
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