Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos
InventChip IV1Q12750T3
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IV1Q12750T3 |
| Código da Peça EBEE | E82979251 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>Em Estoque : Consulte-nos
Por favor, envie uma RFQ, responderemos imediatamente.
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9983 | $ 4.9983 |
| 10+ | $4.3013 | $ 43.0130 |
| 30+ | $3.5636 | $ 106.9080 |
| 90+ | $3.1442 | $ 282.9780 |
| 450+ | $2.9510 | $ 1327.9500 |
| 900+ | $2.8635 | $ 2577.1500 |
Recomendado Para Você
Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | InventChip IV1Q12750T3 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 750mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.6pF | |
| Pd - Power Dissipation | 78.4W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 260pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 15pF | |
| Gate Charge(Qg) | 15.8nC |
Guia de Compras
Expandir
Em Estoque : Consulte-nos
Por favor, envie uma RFQ, responderemos imediatamente.
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9983 | $ 4.9983 |
| 10+ | $4.3013 | $ 43.0130 |
| 30+ | $3.5636 | $ 106.9080 |
| 90+ | $3.1442 | $ 282.9780 |
| 450+ | $2.9510 | $ 1327.9500 |
| 900+ | $2.8635 | $ 2577.1500 |
