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InventChip IV1Q12160D7Z
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IV1Q12160D7Z |
| Código da Peça EBEE | E85806850 |
| Pacote | TO-263-7 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.1522 | $ 10.1522 |
| 10+ | $8.7403 | $ 87.4030 |
| 30+ | $7.7583 | $ 232.7490 |
| 100+ | $7.0363 | $ 703.6300 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | InventChip IV1Q12160D7Z | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.1522 | $ 10.1522 |
| 10+ | $8.7403 | $ 87.4030 |
| 30+ | $7.7583 | $ 232.7490 |
| 100+ | $7.0363 | $ 703.6300 |
