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InventChip IV1Q12080T4
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IV1Q12080T4 |
| Código da Peça EBEE | E82979244 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.0645 | $ 10.0645 |
| 10+ | $8.3431 | $ 83.4310 |
| 30+ | $7.5102 | $ 225.3060 |
| 90+ | $6.8115 | $ 613.0350 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | InventChip IV1Q12080T4 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 80mΩ@20V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 6.7pF | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 42A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.68nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 69pF | |
| Gate Charge(Qg) | 76nC |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.0645 | $ 10.0645 |
| 10+ | $8.3431 | $ 83.4310 |
| 30+ | $7.5102 | $ 225.3060 |
| 90+ | $6.8115 | $ 613.0350 |
