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InventChip IV1Q12080T3Z
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IV1Q12080T3Z |
| Código da Peça EBEE | E85806848 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $11.0557 | $ 11.0557 |
| 10+ | $10.5141 | $ 105.1410 |
| 30+ | $10.2757 | $ 308.2710 |
| 90+ | $10.0675 | $ 906.0750 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | InventChip IV1Q12080T3Z | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $11.0557 | $ 11.0557 |
| 10+ | $10.5141 | $ 105.1410 |
| 30+ | $10.2757 | $ 308.2710 |
| 90+ | $10.0675 | $ 906.0750 |
