| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IV1Q12050T4Z |
| Código da Peça EBEE | E85806846 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $17.0009 | $ 17.0009 |
| 10+ | $15.6951 | $ 156.9510 |
| 30+ | $14.3907 | $ 431.7210 |
| 90+ | $13.2535 | $ 1192.8150 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | InventChip IV1Q12050T4Z | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $17.0009 | $ 17.0009 |
| 10+ | $15.6951 | $ 156.9510 |
| 30+ | $14.3907 | $ 431.7210 |
| 90+ | $13.2535 | $ 1192.8150 |
