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InventChip IV1Q12050T3
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IV1Q12050T3 |
| Código da Peça EBEE | E82924637 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $17.0795 | $ 17.0795 |
| 10+ | $14.5823 | $ 145.8230 |
| 30+ | $13.3098 | $ 399.2940 |
| 90+ | $12.2008 | $ 1098.0720 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | InventChip IV1Q12050T3 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 327W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 58A |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $17.0795 | $ 17.0795 |
| 10+ | $14.5823 | $ 145.8230 |
| 30+ | $13.3098 | $ 399.2940 |
| 90+ | $12.2008 | $ 1098.0720 |
