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InventChip IV1Q12030T4G
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IV1Q12030T4G |
| Código da Peça EBEE | E85806845 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $20.2768 | $ 20.2768 |
| 5+ | $19.4110 | $ 97.0550 |
| 30+ | $18.3739 | $ 551.2170 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | InventChip IV1Q12030T4G | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
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| 5+ | $19.4110 | $ 97.0550 |
| 30+ | $18.3739 | $ 551.2170 |
