| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IV1Q07015T4G |
| Código da Peça EBEE | E85806844 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $31.1571 | $ 31.1571 |
| 3+ | $30.6437 | $ 91.9311 |
| 30+ | $29.1033 | $ 873.0990 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | InventChip IV1Q07015T4G | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 750V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $31.1571 | $ 31.1571 |
| 3+ | $30.6437 | $ 91.9311 |
| 30+ | $29.1033 | $ 873.0990 |
