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InventChip IV1B12013HA1L
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IV1B12013HA1L |
| Código da Peça EBEE | E85806854 |
| Pacote | Through Hole,62.8x33.8mm |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $151.0078 | $ 151.0078 |
| 30+ | $145.5011 | $ 4365.0330 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | InventChip IV1B12013HA1L | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $151.0078 | $ 151.0078 |
| 30+ | $145.5011 | $ 4365.0330 |
