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Infineon Technologies IMZA65R048M1H
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IMZA65R048M1H |
| Código da Peça EBEE | E8536298 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.5837 | $ 7.5837 |
| 10+ | $6.5100 | $ 65.1000 |
| 30+ | $5.7056 | $ 171.1680 |
| 90+ | $5.1577 | $ 464.1930 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies IMZA65R048M1H | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 48mΩ@18V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | - | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.118nF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.5837 | $ 7.5837 |
| 10+ | $6.5100 | $ 65.1000 |
| 30+ | $5.7056 | $ 171.1680 |
| 90+ | $5.1577 | $ 464.1930 |
