Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos
Infineon Technologies IMZA65R027M1H
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IMZA65R027M1H |
| Código da Peça EBEE | E8536297 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>218 Em Estoque para Envio Rápido
218 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0515 | $ 9.0515 |
| 10+ | $7.8448 | $ 78.4480 |
| 30+ | $7.1097 | $ 213.2910 |
| 90+ | $6.4921 | $ 584.2890 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
Recomendado Para Você
Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies IMZA65R027M1H | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 34mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 22pF | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 59A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.131nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 317pF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC |
Guia de Compras
Expandir
218 Stock for Shipping Fast
218 available for immediate shippingPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0515 | $ 9.0515 |
| 10+ | $7.8448 | $ 78.4480 |
| 30+ | $7.1097 | $ 213.2910 |
| 90+ | $6.4921 | $ 584.2890 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
