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Infineon Technologies IMZA120R007M1HXKSA1
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IMZA120R007M1HXKSA1 |
| Código da Peça EBEE | E86061986 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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5 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $53.3716 | $ 53.3716 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies IMZA120R007M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 7mΩ@18V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 420pF | |
| Pd - Power Dissipation | 750W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 225A | |
| Ciss-Input Capacitance | 9.17nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 61pF | |
| Gate Charge(Qg) | 289nC |
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