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Infineon Technologies IMZ120R090M1H
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IMZ120R090M1H |
| Código da Peça EBEE | E8536293 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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61 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.4537 | $ 9.4537 |
| 10+ | $9.0531 | $ 90.5310 |
| 30+ | $8.8073 | $ 264.2190 |
| 90+ | $8.6023 | $ 774.2070 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies IMZ120R090M1H | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 90mΩ@18V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 115W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 26A | |
| Ciss-Input Capacitance | 707pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 39pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC |
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| 1+ | $9.4537 | $ 9.4537 |
| 10+ | $9.0531 | $ 90.5310 |
| 30+ | $8.8073 | $ 264.2190 |
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