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Infineon Technologies IMZ120R060M1H
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IMZ120R060M1HXKSA1 |
| Código da Peça EBEE | E8536292 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9838 | $ 4.9838 |
| 10+ | $4.2598 | $ 42.5980 |
| 30+ | $3.8296 | $ 114.8880 |
| 90+ | $3.3945 | $ 305.5050 |
| 510+ | $3.1945 | $ 1629.1950 |
| 990+ | $3.1040 | $ 3072.9600 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies IMZ120R060M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 60mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.06nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 31nC |
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| 30+ | $3.8296 | $ 114.8880 |
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