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Infineon Technologies IMW65R048M1H
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IMW65R048M1H |
| Código da Peça EBEE | E8536287 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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6 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.2062 | $ 13.2062 |
| 10+ | $12.7822 | $ 127.8220 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies IMW65R048M1H | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 64mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 39A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.118nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 168pF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC |
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