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Infineon Technologies IMW120R350M1HXKSA1


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
IMW120R350M1HXKSA1
Código da Peça EBEE
E82997926
Pacote
TO-247-3
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descrição
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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3 Em Estoque para Envio Rápido
3 disponível para envio imediato
Pode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
1+$5.3651$ 5.3651
10+$4.5365$ 45.3650
30+$4.0455$ 121.3650
90+$3.5468$ 319.2120
510+$3.3176$ 1691.9760
990+$3.2138$ 3181.6620
Melhor preço para maior quantidade?
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TipoDescrição
Selecionar Tudo
CategoriaDispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET)
Folha de DadosInfineon Technologies IMW120R350M1HXKSA1
RoHS
Tipo de tipoN-Channel
RDS (em inglês)350mΩ
Temperatura de funcionamento --55℃~+175℃
Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds)1pF
Pd - Power Dissipation60W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))5.7V
Current - Continuous Drain(Id)4.7A
Ciss-Input Capacitance182pF
Output Capacitance(Coss)10pF
Gate Charge(Qg)5.3nC

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