Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos
Infineon Technologies IMW120R045M1
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IMW120R045M1 |
| Código da Peça EBEE | E8476131 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>1 Em Estoque para Envio Rápido
1 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.7368 | $ 13.7368 |
| 10+ | $11.9966 | $ 119.9660 |
| 30+ | $10.9361 | $ 328.0830 |
| 90+ | $10.0470 | $ 904.2300 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
Recomendado Para Você
Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies IMW120R045M1 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 45mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 228W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 52A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 115pF | |
| Gate Charge(Qg) | 52nC |
Guia de Compras
Expandir
1 Stock for Shipping Fast
1 available for immediate shippingPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.7368 | $ 13.7368 |
| 10+ | $11.9966 | $ 119.9660 |
| 30+ | $10.9361 | $ 328.0830 |
| 90+ | $10.0470 | $ 904.2300 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
