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Infineon Technologies IMBG120R045M1HXTMA1
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IMBG120R045M1HXTMA1 |
| Código da Peça EBEE | E83279262 |
| Pacote | TO-263-7-12 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-263-7-12 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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2 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.2809 | $ 13.2809 |
| 10+ | $12.6657 | $ 126.6570 |
| 30+ | $11.6009 | $ 348.0270 |
| 100+ | $10.6711 | $ 1067.1100 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies IMBG120R045M1HXTMA1 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 45mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 7.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 227W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 47A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.527nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 70pF | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC |
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| 1+ | $13.2809 | $ 13.2809 |
| 10+ | $12.6657 | $ 126.6570 |
| 30+ | $11.6009 | $ 348.0270 |
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