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Infineon Technologies IMBF170R650M1XTMA1
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IMBF170R650M1XTMA1 |
| Código da Peça EBEE | E83289295 |
| Pacote | TO-263-7-13 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-263-7-13 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.0394 | $ 5.0394 |
| 10+ | $4.3265 | $ 43.2650 |
| 30+ | $3.9026 | $ 117.0780 |
| 100+ | $3.4739 | $ 347.3900 |
| 500+ | $3.2770 | $ 1638.5000 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies IMBF170R650M1XTMA1 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 650mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 1.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 88W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 422pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 12pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8nC |
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