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Infineon Technologies AIMW120R060M1HXKSA1
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | AIMW120R060M1HXKSA1 |
| Código da Peça EBEE | E83278942 |
| Pacote | TO-247-3-41 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-3-41 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $21.8201 | $ 21.8201 |
| 10+ | $20.8394 | $ 208.3940 |
| 30+ | $19.1410 | $ 574.2300 |
| 100+ | $17.6584 | $ 1765.8400 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies AIMW120R060M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $21.8201 | $ 21.8201 |
| 10+ | $20.8394 | $ 208.3940 |
| 30+ | $19.1410 | $ 574.2300 |
| 100+ | $17.6584 | $ 1765.8400 |
