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Infineon Technologies AIMW120R035M1HXKSA1
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | AIMW120R035M1HXKSA1 |
| Código da Peça EBEE | E83289085 |
| Pacote | TO-247-3-41 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-3-41 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $34.6586 | $ 34.6586 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies AIMW120R035M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 35mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 11pF | |
| Pd - Power Dissipation | 228W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 52A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.13nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 107pF | |
| Gate Charge(Qg) | 59nC |
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