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HXY MOSFET HC3M0075120K
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HC3M0075120K |
| Código da Peça EBEE | E819723860 |
| Pacote | TO-247-4L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
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| 10+ | $3.5577 | $ 35.5770 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET HC3M0075120K | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 90mΩ | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 32A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.39nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC |
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