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HXY MOSFET HC3M001K170J
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HC3M001K170J |
| Código da Peça EBEE | E822449551 |
| Pacote | TO-263-7L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-263-7L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET HC3M001K170J | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 700mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 86W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 285pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 15.3pF | |
| Gate Charge(Qg) | 16.5nC |
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