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HXY MOSFET HC3M00160120D
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HC3M00160120D |
| Código da Peça EBEE | E822449549 |
| Pacote | TO-247 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET HC3M00160120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 160mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A |
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