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HXY MOSFET HC2M1000170D
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HC2M1000170D |
| Código da Peça EBEE | E819723852 |
| Pacote | TO-247-3L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
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| 10+ | $2.0399 | $ 20.3990 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET HC2M1000170D | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 1.4Ω | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 69W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 215pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 19pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC |
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