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HXY MOSFET HC2M0160120D
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HC2M0160120D |
| Código da Peça EBEE | E819723851 |
| Pacote | TO-247-3L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7375 | $ 2.7375 |
| 10+ | $2.3406 | $ 23.4060 |
| 30+ | $2.1043 | $ 63.1290 |
| 90+ | $1.8657 | $ 167.9130 |
| 510+ | $1.7553 | $ 895.2030 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET HC2M0160120D | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 196mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 606pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 55pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
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| 30+ | $2.1043 | $ 63.1290 |
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