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HXY MOSFET HC2M0045170D
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HC2M0045170D |
| Código da Peça EBEE | E819723849 |
| Pacote | TO-247-3L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $24.9716 | $ 24.9716 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET HC2M0045170D | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 70mΩ | |
| Operating Temperature - | -40℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 6.7pF | |
| Pd - Power Dissipation | 520W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 72A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.672nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 171pF | |
| Gate Charge(Qg) | 188nC |
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