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HXY MOSFET HC1M320120D
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HC1M320120D |
| Código da Peça EBEE | E841428808 |
| Pacote | TO-247-4L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4917 | $ 4.4917 |
| 10+ | $3.8544 | $ 38.5440 |
| 30+ | $3.4750 | $ 104.2500 |
| 90+ | $3.0918 | $ 278.2620 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET HC1M320120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 450mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 324pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 24pF | |
| Gate Charge(Qg) | 23.5nC |
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| 30+ | $3.4750 | $ 104.2500 |
| 90+ | $3.0918 | $ 278.2620 |
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