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GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GA10JT12-263 |
| Código da Peça EBEE | E83282332 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.1843 | $ 18.1843 |
| 200+ | $7.0374 | $ 1407.4800 |
| 500+ | $6.7908 | $ 3395.4000 |
| 1000+ | $6.6683 | $ 6668.3000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263 | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 170W | |
| Corrente de drenagem contínua | 25A | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1200V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.1843 | $ 18.1843 |
| 200+ | $7.0374 | $ 1407.4800 |
| 500+ | $6.7908 | $ 3395.4000 |
| 1000+ | $6.6683 | $ 6668.3000 |
