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GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | G3R45MT17D |
| Código da Peça EBEE | E83290724 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $39.2058 | $ 39.2058 |
| 200+ | $15.1731 | $ 3034.6200 |
| 500+ | $14.6390 | $ 7319.5000 |
| 1000+ | $14.3764 | $ 14376.4000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 438W | |
| Corrente de drenagem contínua | 61A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1700V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $39.2058 | $ 39.2058 |
| 200+ | $15.1731 | $ 3034.6200 |
| 500+ | $14.6390 | $ 7319.5000 |
| 1000+ | $14.3764 | $ 14376.4000 |
