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GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | G3R30MT12J |
| Código da Peça EBEE | E83291163 |
| Pacote | TO-263-7 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $54.5179 | $ 54.5179 |
| 200+ | $21.0991 | $ 4219.8200 |
| 500+ | $20.3570 | $ 10178.5000 |
| 1000+ | $19.9905 | $ 19990.5000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 459W | |
| Corrente de drenagem contínua | 96A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1200V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $54.5179 | $ 54.5179 |
| 200+ | $21.0991 | $ 4219.8200 |
| 500+ | $20.3570 | $ 10178.5000 |
| 1000+ | $19.9905 | $ 19990.5000 |
