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GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | G3R20MT12N |
| Código da Peça EBEE | E83280066 |
| Pacote | SOT-227 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | SOT-227 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $69.9440 | $ 69.9440 |
| 200+ | $27.0688 | $ 5413.7600 |
| 500+ | $26.1159 | $ 13057.9500 |
| 1000+ | $25.6475 | $ 25647.5000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 365W | |
| Corrente de drenagem contínua | 105A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1200V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $69.9440 | $ 69.9440 |
| 200+ | $27.0688 | $ 5413.7600 |
| 500+ | $26.1159 | $ 13057.9500 |
| 1000+ | $25.6475 | $ 25647.5000 |
