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GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | G3R20MT12K |
| Código da Peça EBEE | E83290744 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $92.1704 | $ 92.1704 |
| 200+ | $35.6689 | $ 7133.7800 |
| 500+ | $34.4163 | $ 17208.1500 |
| 1000+ | $33.7963 | $ 33796.3000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 542W | |
| Corrente de drenagem contínua | 128A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1200V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $92.1704 | $ 92.1704 |
| 200+ | $35.6689 | $ 7133.7800 |
| 500+ | $34.4163 | $ 17208.1500 |
| 1000+ | $33.7963 | $ 33796.3000 |
