| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | G3R160MT17J |
| Código da Peça EBEE | E83291151 |
| Pacote | TO-263-7 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $14.3941 | $ 14.3941 |
| 200+ | $5.5699 | $ 1113.9800 |
| 500+ | $5.3748 | $ 2687.4000 |
| 1000+ | $5.2790 | $ 5279.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 187W | |
| Corrente de drenagem contínua | 22A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1700V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $14.3941 | $ 14.3941 |
| 200+ | $5.5699 | $ 1113.9800 |
| 500+ | $5.3748 | $ 2687.4000 |
| 1000+ | $5.2790 | $ 5279.0000 |
