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GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | G2R120MT33J |
| Código da Peça EBEE | E83291148 |
| Pacote | TO-263-7 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $140.0672 | $ 140.0672 |
| 200+ | $54.2050 | $ 10841.0000 |
| 500+ | $52.2992 | $ 26149.6000 |
| 1000+ | $51.3588 | $ 51358.8000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J | |
| RoHS | ||
| Corrente de drenagem contínua | 35A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 3300V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
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| 200+ | $54.2050 | $ 10841.0000 |
| 500+ | $52.2992 | $ 26149.6000 |
| 1000+ | $51.3588 | $ 51358.8000 |
