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GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | G2R1000MT33J |
| Código da Peça EBEE | E83291150 |
| Pacote | TO-263-7 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $44.5110 | $ 44.5110 |
| 200+ | $17.2252 | $ 3445.0400 |
| 500+ | $16.6208 | $ 8310.4000 |
| 1000+ | $16.3215 | $ 16321.5000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+175℃ | |
| Dissipação de energia | 74W | |
| Carga total do portão | 18nC | |
| Corrente de drenagem contínua | 5A | |
| Capacitância de Transferência Reversa | 2.4pF | |
| Entência de entrada | 238pF | |
| Capacitância de saída | 10pF | |
| Configuração | - | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Resistência ao drena-source no Estado (15V) | - | |
| Resistência de drenagem no Estado (18V) | - | |
| Resistência de drenagem-solço no Estado (20V) | 1000mΩ | |
| Tipo encapsulado | Single Tube | |
| Resistência no Estado(10V) da Drenagem-Source | - | |
| Tensão da fonte de drenagem | 3300V | |
| Tensão de limiar de fonte de drenagem | 3.5V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $44.5110 | $ 44.5110 |
| 200+ | $17.2252 | $ 3445.0400 |
| 500+ | $16.6208 | $ 8310.4000 |
| 1000+ | $16.3215 | $ 16321.5000 |
