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ANHI ADR065N028AH
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | ADR065N028AH |
| Código da Peça EBEE | E822470093 |
| Pacote | TOLL |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TOLL Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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5 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0578 | $ 9.0578 |
| 10+ | $7.7829 | $ 77.8290 |
| 30+ | $7.0065 | $ 210.1950 |
| 100+ | $6.3540 | $ 635.4000 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | ANHI ADR065N028AH | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 45mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 12.9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 294W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.333nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 226.7pF | |
| Gate Charge(Qg) | 97.6nC |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
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| 1+ | $9.0578 | $ 9.0578 |
| 10+ | $7.7829 | $ 77.8290 |
| 30+ | $7.0065 | $ 210.1950 |
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