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ANHI ADP120N080G2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | ADP120N080G2 |
| Código da Peça EBEE | E822470090 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-220 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5581 | $ 3.5581 |
| 10+ | $3.0691 | $ 30.6910 |
| 50+ | $2.7785 | $ 138.9250 |
| 100+ | $2.4832 | $ 248.3200 |
| 500+ | $2.3482 | $ 1174.1000 |
| 1000+ | $2.2863 | $ 2286.3000 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | ANHI ADP120N080G2 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 100mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 188W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.377nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 62pF | |
| Gate Charge(Qg) | 58nC |
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| 10+ | $3.0691 | $ 30.6910 |
| 50+ | $2.7785 | $ 138.9250 |
| 100+ | $2.4832 | $ 248.3200 |
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