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AnBon AS2M040120P
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | AS2M040120P |
| Código da Peça EBEE | E819762685 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.6075 | $ 12.6075 |
| 10+ | $11.9904 | $ 119.9040 |
| 30+ | $10.9210 | $ 327.6300 |
| 90+ | $9.9869 | $ 898.8210 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | AnBon AS2M040120P | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 52mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 375W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.08nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 86pF | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.6075 | $ 12.6075 |
| 10+ | $11.9904 | $ 119.9040 |
| 30+ | $10.9210 | $ 327.6300 |
| 90+ | $9.9869 | $ 898.8210 |
